英特尔美光开始量产34纳米内存芯片

英特尔与合作伙伴美光（Micron Technology）本周一宣布开始大规模生产34纳米NAND闪存芯片。

这款芯片的体积更小，因此用户可以在相同的空间内获得更高的内存。这款最新产品可以在一个内核中配置4GB内存，每层配置8个内核，因此在一个双层栈封装内总内存容量可以达到64GB。

此芯片的打消适合采用标准的48-lead TSOP封装（这是一种表面贴装集成电路，主要用于MP3播放器、手机以及其他容量空间很小的设备）。

美光公司内存业务部门副总裁Brian Shirley发表声明称：“有了这块小巧的34纳米、32GB晶片，客戶能够很方便地扩展一系列消费和计算产品的NAND存储容量。”

这款芯片是以300mm晶圆制造的，其表面积比拇指指甲还要小。这款芯片主要面向数码相机、个人音乐播放器以及数码摄像机市场。此外据美光公司表示，这款芯片还可以用于提高固态盘驱动器的存储容量。

两家合作公司并没有透露这款芯片将投入市场。然而英特尔和美光表示他们将在明年年初发布更多采用34纳米工艺制程的产品。

目前内存市场供大于求的情况导致芯片下跌，同时严重影响了制造商的收入。美光公司上个月表示，他们将削减内存芯片生产量，并且计划裁员15%。

美光还表示，他们与英特尔合资创建的内存生产商IM Flash可能会停止美国Boise以及Idaho工厂的芯片生产。今年4月，市场分析公司iSuppli宣布将把2008年NAND闪存市场的全球收入增长率调低2/3。消费开支的疲软被认为是收入增长减少的主要原因，而这些都是受到了目前金融危机的影响。