扫一扫
分享文章到微信
扫一扫
关注官方公众号
至顶头条
韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor Inc.)开发出了DDR2方式的1Gbit移动DRAM,电源电压为1.2V,实现了800Mbps的最大数据传输速度(英文发布资料)。主要面向高性能的便携终端。
该产品符合JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)正在制定最终标准的LPDDR2(Low Power DDR2)规格。采用66nm工艺技术制造。封装尺寸为9mm×12mm。预定2008年第四季度开始量产。
如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息,那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。