58纳米！沟槽式DRAM第三季度正式进入产品验证阶段

DRAM市场一直所讨论的沟槽式（Trench）技术前景，目前已确定沟槽式阵营的58纳米制程技术将在2008年第四季度进入产品验证阶段，华亚科也预计在2008年投资300亿元新台币将12万片的70纳米制程技术产能，转换成58纳米制程技术，可说对于58纳米提供了最佳的保证。

DRAM市场不断辩论沟槽式或堆栈式的制程技术，而长久以来由于堆栈式阵营的成员人数众多，再加上部分原本属于沟槽式阵营成员，也先后转向堆栈式阵营，因而外界对于沟槽式阵营的未来产生疑问。沟槽式阵营的两大母公司，南亚科与奇梦达（Qimonda）已确定研发出58纳米制程技术，且已证明这是可进行商业化的制程技术。

目前58纳米制程技术已分别在奇梦达与华亚科进行小量试产阶段，依试产的结果来看，可望在2008年第四季度进入产品验证阶段，而依据过去DRAM厂进入产品验证经验判断，最快到2009年第一季度末便可开始进入量产阶段，而过去每世代制程技术至少可使用两年左右时间来计算，沟槽式阵营的产品生命周期到2009年甚至是2010年都没有太大问题。

70纳米制程技术产能转换成58纳米制程，华亚科2008年将会投入共300亿元新台币进行机器设备转换，估计要将两座12英寸厂约12万片产能全数转为58纳米制程技术，大约需花费将近300亿元左右的资本支出。不过华亚科光是每年的折旧摊提大约有280亿~300亿元，因此就算华亚科2008年不进行募资动作，也还足以因应转换制程所需要资金。

而奇梦达也于28日同时宣布1GB和2GB的DDR3 DRAM模组样品开始出货给主要客户，加速布局次世代NB市场。奇梦达于2006年6月推出DDR3内存产品，而估计内建1GB和2GB DDR3 SO-DIMM的NB将于2008年上半上市。

1GB和2GB的DRAM模组由奇梦达以75纳米技术制程所生产的1Gb的DDR3芯片组成，提供显著的省电效果，因为DDR3仅需1.5伏特的电力，而DDR2则是1.8伏特。根据SO-DIMM容量的不同，奇梦达的DDR2的SO-DIMM与现2008年主流的DDR2模组相比，甚至可以节省30~50%的耗电量。