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“进入全球存储器厂商前三强” 力晶举行新工厂动工仪式

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力晶在新竹工业园内已拥有3家300mm晶圆的工厂。新工厂实现量产后,产能将达到25万枚/月(按300mm晶圆投入量换算),“存储器产量将进入全球前三强”。

作者:技术在线 2008年4月10日

关键字: DRAM 半导体 N-Gage

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台湾力晶半导体(Powerchip Semiconductor)2008年4月8日为在台湾新竹县工业园内建设的、300mm晶圆存储器新工厂“P4”和“P5”举行了破土动工仪式(英文发布资料)。P4和P5将采用50nm以下工艺生产NAND闪存和DRAM。产能按晶圆投入量换算各为6万枚/月。两工厂的建设总投资额为2500亿元新台币,员工数量预定两工厂合计为3600人。

力晶在新竹工业园内已拥有3家300mm晶圆的工厂。新工厂实现量产后,产能将达到25万枚/月(按300mm晶圆投入量换算),“存储器产量将进入全球前三强”。

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