科技行者

行者学院 转型私董会 科技行者专题报道 网红大战科技行者

知识库

知识库 安全导航

至顶网存储频道NAND闪存工厂推迟,产量提升速度放慢

NAND闪存工厂推迟,产量提升速度放慢

  • 扫一扫
    分享文章到微信

  • 扫一扫
    关注官方公众号
    至顶头条

NAND闪存市场增速放缓的又一个迹象:厂商正在推迟兴建新的闪存工厂,或者放慢闪存工厂的产量提升速度。日前东芝(Toshiba)和SanDisk宣布将在日本兴建人们期待很久的Fab 5工厂。据这两家公司,该工厂将生产NAND闪存,预计2010年投产。

2008年2月28日

关键字: 闪存 N-Gage

  • 评论
  • 分享微博
  • 分享邮件
NAND闪存市场增速放缓的又一个迹象:厂商正在推迟兴建新的闪存工厂,或者放慢闪存工厂的产量提升速度。日前东芝(Toshiba)和SanDisk宣布将在日本兴建人们期待很久的Fab 5工厂。据这两家公司,该工厂将生产NAND闪存,预计2010年投产。

American Technology Research Inc.的分析师Doug Freedman在一份报告中表示:“我们相信,多数投资者曾预期Fab 5工厂将在2009年开始投产,现在投产日期推迟,可能有利于NAND市场的供需平稳。”

“由于IMFT提高产量(尽管我们相信在新加坡慢于预期)、三星(Samsung)和海力士(Hynix)半导体为了争夺市场份额而增产,以及密度出货情况继续低于我们的预期,供应面(过剩)仍然令人担忧,”他表示,IMFT指的是英特尔(Intel)与美光(Micron)的闪存合资企业IM Flash Technologies LLC。

也有一些好消息。他说:“需求方面有所改善,SSD的接受情况更加接近可观的规模,而且苹果(Apple)在没有提价的情况下把每部产品的闪存含量扩大了一倍。”

    • 评论
    • 分享微博
    • 分享邮件
    邮件订阅

    如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息,那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。

    重磅专题
    往期文章
    最新文章