英特尔、美光撼动NAND闪存版图

英特尔(Intel)和美光(Micron)近日将对外公布一套由双方所共同研发全新NAND型闪存(闪存)架构，新架构完全消除传统NAND 闪存传输瓶颈，大幅提升NAND 闪存数据传输速度，较现有架构快上5倍，由于NAND 闪存传输速度攸关厂商竞局，此恐将颠覆整个NAND 闪存市场版图，撼动既有大厂三星电子(Samsung Electronics)及东芝(Toshiba)市场地位。

内存业者指出，NAND 闪存传输速度扮演市场成败重要关键，不仅攸关固态硬盘(Solid State Drive；SSD)及视讯卡传输效率，更将牵动整个NAND 闪存市场版图，事实上，目前合计占全球NAND 闪存芯片市场约60%的三星与东芝，2家公司于2007年时曾签署1项协议，将采用同样技术规范，共同开发速度更快且功能更强大NAND 闪存，如今美光和英特尔联合生产高速NAND 闪存芯片，势必将与全球顶尖NAND 闪存芯片厂三星及东芝展开更激烈对决，并让全球NAND 闪存市场全面进入集团战阶段。

美光发言人Kirstin Bordner则表示，市场对于高频宽消费性电子产品需求日增，该公司高速度NAND 闪存比传统产品速度要快上5倍，将可传输高清晰度电影。该技术系由英特尔与美光共同合资的IM 闪存所开发8Gb SLC(Single-Level-Cell)储存规格NAND 闪存，读取数据可达每秒200MB，写入数据可达每秒100MB，相较之下，目前内存业者所生产NAND 闪存，读取数据为每秒40MB，写入数据仅每秒20MB，速度明显增加。

另外，美光NAND 闪存新产品架构改变并改善NAND 闪存读写电路，这是提高芯片速度主要原因，且达到ONFI(Open NAND Flash Interface)2.0技术规范所定义速度。目前美光已开始生产此款高速NAND 闪存芯片样品，预计2008年下半开始大量生产，美光将凭借SSD业务全面发动攻势，2008年投产配备MLC(Multi-Level-Cell)NAND 闪存，并供应采35奈米制程技术SSD样品。