东芝43纳米NAND闪存生产线采用光微影设备

尽管EUV(超紫外光)、纳米压印等下一代光刻技术的呼声日益增强，东芝(Toshiba Corp.)仍然计划在43纳米NAND闪存生产线上采用光微影(optical lithography)技术。

东芝表示，公司准备在43纳米NAND闪存生产线上使用尼康(Nikon Corp.)的193纳米沉浸式步进扫描光刻设备NSR-S610C，该设备的NA(数值孔径)为1.30，可用于45纳米或以下存储产品和32纳米逻辑器件的量产。目前，东芝的56纳米NAND闪存已经出货，预计43纳米产品将于2008年初投入市场。

据悉，东芝多年来一直使用尼康的步进扫描光刻机。在56纳米NAND闪存的制造中，东芝采用的也是尼康的193纳米沉浸式步进扫描光刻机。然而，对于22纳米节点，东芝表示将着手采用EUV、纳米压印等下一代光刻技术。