三星宣布30nm工艺64Gb NAND闪存

新的30nm工艺64Gb NAND闪存晶圆

    “这是当前全球最大容量的单一存储芯片，”三星电子投资关系部高级经理Kwon Hyosun自豪地说到。

    不过，三星表示，这款新型NAND将要到2009年才会开始生产，它可以用来制作128GB的存储卡，这个容量可以保存80部标清的电影以及32000首MP3歌曲。

    该NAND芯片采用了三星新开发的创新的自排列双成型技术（SaDPT, Self-aligned Double Patterning Technology），通过分两次成型的方式，在晶圆刻版方面突破了传统工艺的瓶颈，让30nm制程得以实现。三星表示，这一技术在该公司的电荷阀闪（CTF，Charge Trap Flash）技术正式到来前，将大大提升现有资源下的制程工艺的极限，而两者未来也将结合使用进一步突破纳米级设计极限。

    三星预示，2009年到2011年，伴随着移动手持设备、数码相机与MP3播放器的成长，这种新芯片将会产生200亿美元的市场。