TDK公开热辅助记录及CPP型GMR磁头的相关研发情况

TDK公开了用于提高硬盘记录密度的未来技术——热辅助记录及CPP型GMR磁头的相关研究开发情况。其中，热辅助记录的研发状况是“首次公开”（TDK）。

TDK展出的热辅助记录成果是利用设有光导波路的试制磁头发射激光，写入相当于磁介质1条轨道的数据。试制磁头没有配备读写磁头，需要向整个记录介质施加磁场，利用激光热量进行写入。光源利用半导体激光器。为了使磁头上浮并同时进行写入，ABS（air bearing surface）面经过了加工。上浮距离为6nm。

展出的TMR磁头及离散轨道介质样品

TDK没有透露半导体激光器的出射光进入光导波路的方法。只表示“与其他公司的方法相比别具一格”（解说员）。“作为磁头厂商，我们希望开发只需较以往有所改变，就能够支持热辅助记录的磁头”（解说员）。因此，TDK没有采用从磁头外部设置的半导体激光器发射激光的方法。

磁头发射的激光的光束形状为椭圆形。长边的半辐值较大，为0.8μm左右。为了实现高记录密度，今后TDK计划通过利用近场光，使点径达到数十nm。

该公司没有公开磁头的详细结构。导波路材料的开发和导波路结构设计均由TDK完成。

CPP型GMR元件方面，为了实现更高密度的读写，该元件缩小了GMR元件的实际轨道宽度。磁道宽约为33nm。实际轨道宽度“更小”（TDK）。去年在CEATEC上发表的CPP型GMR元件的实际轨道宽为40nm。

发表每平方英寸602Gbit的验证实验结果

除此之外，TDK还发布了成功利用TMR磁头及离散轨道介质，使硬盘面记录密度达到每平方英寸602Gbit的验证实验结果（参阅本站报道）。线记录密度为1517kBPI，轨道密度为397kTPI。

离散轨道介质在记录轨道间形成沟槽并填充非磁性材料，控制了轨道间的磁力影响。验证实验采用了轨道间隔为64nm的介质。利用垂直记录方式写入了三条连续的记录轨道，并利用TMR磁头读取了居中的记录轨道。比特误码率为10-3，线记录密度为1517kBPI。按照轨道间隔为64nm计算，轨道密度为397kTPI。

另外，现场还展示了TMR磁头和离散轨道介质的样品。