IM Flash将在NAND闪存市场威胁三星东芝

三星电子（Samsung Electronics）迈向晶圆代工先进制程传出捷报，日前宣布65纳米低电压制程已经通过12英寸晶圆厂认证，并已作好准备，仅待客户投单，三星力追台湾晶圆双雄技术优势，期盼以先进制程吸引客户青睐。

另一方面，据CNN Magazine报导指出，英特尔（Intel）、美光（Micron）合资成立的闪存（Flash）公司IM Flash Technologies，已经将50纳米制程技术打造的NAND型Flash芯片送样，未来将进一步威胁在NAND型Flash市场领先的三星与东芝（Toshiba）。

三星半导体晶圆代工事业技术副总裁Ana Molnar Hunter表示，该公司先进的制程技术，不但能够保持低耗电以及高产出的量产效率优势，同时为客户整合更多功能。

三星表示，位在韩国器兴（Giheung）的S1产线到2007年以前将持续扩产，而目前该产线足以为客户提供高产出的晶圆代工业务；此外，针对三星与IBM、特许半导体（Chartered Semiconductor）之间的“跨晶圆代工”（Cross-Foundry）伙伴关系，三星亦表示，其65纳米程技术可与DRC、LVS连结，其DFM亦与IBM、特许成立的共同平台（Common Platform）相容，可让客户拥有多方晶圆代工来源。

身为亚洲重量级科技大厂，三星对于晶圆代工市场兴趣浓厚，曾宣布拟于2012年前斥资330亿美元，打造全球最大规模半导体制造聚落，并且在2005年底获得手机芯片大厂高通（Qualcomm）代工订单，三星拟以90纳米制程为高通打造芯片。

负责晶圆代工业务的系统LSI（大规模集成电路）事业近来扩产积极，近2年该事业的资本支出均接近1兆韩元，并在2006年5月宣布斥资2,909亿韩元提升产能。

目前晶圆代工大厂如台积电、联电已在2006年相继导入先进65纳米制程，如今三星亦宣布65纳米制程到位，明显看出三星不愿落后的企图心，期盼在技术上力追晶圆双雄。

另外，在内存厂NAND型Flash制程竞赛方面，IM Flash近日传出已将50纳米制程的NAND型Flash芯片送样，这是IM Flash在2005年11月成立以来最重要的发展，这款新的NAND型Flash每颗容量为4Gb，预计在2007年即可量产出货，预料将会对三星与东芝造成威胁。由于前几天三星才刚宣布，将以60纳米制程量产8Gb NAND型Flash，IM Flash积极抢进50纳米制程NAND型Flash的动作无疑具有震撼意义。

美光内存副总裁Brian Shirley表示，该公司自2004年开始进入NAND型Flash市场，一直采用的是90纳米制程来打造NAND型Flash，如今透过与英特尔的合作，现在能够领先业界推出最先进技术的产品。目前英特尔是全球第二大的NOR型Flash制造商，但没有NAND型Flash领域的发展经验，透过与全球第五大NAND型Flash厂美光的合作，英特尔虽然是NAND型Flash领域的后进者，但态度颇为积极。