东芝社长：瞄准NAND闪存份额头把交椅

东芝和美国SanDisk于2007年9月4日，在三重县四日市工厂举行了利用300mm晶圆生产NAND闪存的新工厂——Fab4竣工仪式。在竣工仪式之后的宴会上，东芝总裁兼首席执行官西田厚聪致词说：“我们在NAND闪存的微细化、多值化技术方面领先世界。通过Fab4的投产，我们将争取在2008年之前，使（东芝和SanDisk相加的）生产能力达到全球第一”。SanDisk主席兼首席执行官Eli Harari也表示,“Fab4的竣工，意味着四日市成为了全球最重要的半导体制造基地。日本的半导体产业由此复活！”

在竣工仪式上进行剪彩

此外，竣工宴会还邀请了负责Fab4建设的清水建设董事长宫本洋一、三重县知事野吕昭彦、四日市市长井上哲夫等约230人出席。东芝动工建设Fab4的时间为2006年8月。

利用300mm晶圆生产NAND闪存的第4车间（Fab4）

2008年3月以后导入43nm工艺

东芝将于2007年12月起，开始在Fab4量产NAND闪存。现在占Fab4整体约20％的第1期工程正在展开，其中，制造装置的安装已经完成。预定2008年的月产量为8万枚。满负荷运转时的生产能力预计为每月21万枚左右。

微细化方面，Fab4将以采用2bit/单元技术的56nm工艺16Gbit产品为主开始量产。“43nm工艺将在2008年3月以后陆续采用”（东芝执行董事高级常务董事半导体公司社长齐藤昇三）。3bit/单元技术的采用时期预定为2008年下半年。

东芝总裁兼首席执行官西田厚聪

采用减震结构和防止电压瞬时降低措施

Fab4为实现工厂稳定生产，采取了防震措施和防止落雷时的电压瞬时降低的措施。为此东芝为建筑物的地基部分采用了多层橡胶式的减震结构。能够把地震的加速度减小至约1/4，在日本东海、东南海发生6级地震时，震度可降低至3～4级左右。另外，为了防止发生微弱的摇摆，东芝特别在减震装置的配置上进行了改进。否则，在导入减震结构后，晃动容易长时间持续，反而对半导体制造装置不利。

SanDisk主席兼首席执行官Eli Harari

作为防止电压瞬时降低措施，东芝采用了配备10.6MVA电双层电容器的多功能转换器（MPC：multiple power compensation）作为充电器。对电压瞬时降低的反应速度低于5ms，可切实保护生产线。与以往采用铅蓄电池的情况相比，设置空间只需约1/3，因为不含铅（Pb），还能减轻环境负荷。