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DDR2 eTT价格上扬 现货市场品牌芯片涨幅近30%

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根据内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)发布的最新报告,近期DRAM现货市场报价出现大幅上涨走势,DDR2有效测试(eTT)芯片上涨至2.07美元,涨幅达29.4%。

作者:hyy(转载/原文:国际电子商情) 2007年6月27日

关键字: 内存 DRAM DDR2

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根据内存市场研究机构集邦科技(DRAMeXchange)发布的最新报告,近期DRAM现货市场报价出现大幅上涨走势,DDR2有效测试(eTT)芯片上涨至2.07美元,涨幅达29.4%。而品牌芯片DDR2 512Mb 64M*8则上涨至2.06美元。该机构表示,DDR2 eTT价格涨势惊人,甚至已经超越品牌价格形成黄金交叉,以过往历史经验观察,将有机会带动现货市场的品牌芯片价格上扬。

根据集邦科技分析,近期现货报价反弹大约可以归纳为下列两种原因:首先是中国华南地区严抓走私DRAM,促使深圳地区的分销商积极备货,带动价格上涨。一般DRAM产品经由海关进入中国市场必须要课征17%的关税,因此对于价格波动非常大的现货市场而言,从香港走私进去的DRAM产品成为部份大陆分销商的竞争模式,而近期华南地区严抓走私的政策,相关厂商为了避免缺货而积极备货,进而带动DRAM现货价格的上涨。

另一项重要因素则是近期台系DRAM厂商纷纷转进70nm,拉长cycle time,使得五、六月份产出减少。虽然减少幅度不大,但是由于台系厂商主要供货到现货市场为主,在预期现货市场供给量减少的情况下,带动现货市场报价大幅反弹。预期七、八月以后台系厂商70nm制程进度将较为顺利。

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