DRAM价格两天累计上涨超过22%

DRAM现货市场在端午节过后出现戏剧性的大涨，两个交易日累计价格涨幅超过了22%，下游模组厂商表示，继茂德因制程转换导致影响生产，传闻力晶也是70纳米制程转换不顺，导致有效测试（eTT）芯片的供货锐减，并造成DDR2价格突然大涨。大多数模组厂商都没有在端午节前回补库存，假期过后只能眼看着价格不断攀高。而在台系厂商制程转换不顺以及DRAM现货价格水涨船高的影响下，21日带动了三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）等国际DRAM厂商股价响起一片涨声。

模组厂商则表示，台系DRAM厂商在转换制程至70纳米时，陆续出现生产不顺的问题，继日前茂德因转进70纳米制程速度过快，导致生产不顺，力晶也传出因70纳米制程转换过程有问题的消息，导致eTT芯片供货锐减，是近两天价格大涨的元凶。对此，力晶发言人谭仲民表示，力晶70纳米制程相当顺利，没有市场传闻所说到的问题。

内部人士指出，尽管力晶在70纳米制程转换时出现了问题，但其实受影响的只有几百片，该数量不但对力晶而言微不足道，更不足以左右现货市场的供需关系，真正影响市场供货量的主因是力晶的母公司尔必达（Elpida）近期临时向其增加了进货数量，使得力晶转售到现货市场DRAM货源减少。

无论真正原因为何，近期DRAM厂商不愿出货的态度明显，尤其现正值自结半年财报的时间点，多数DRAM厂商为弥补4、5月DRAM价格不佳、第二季度财报成绩不好，加上看准第三季度PC产业传统旺季即将来临，对于价格可以说是铁了心要涨价，在供给端的主导下，使得近两天eTT芯片出现大涨。

不过，由于这波DRAM价格反弹过于迅速，加上突然出现在端午节连假过后，让许多模组厂商感到措手不及，原来业界预计DRAM价格会到6月底才触底反弹，如今却提前发动涨势，让不少模组厂商与端午前假前的最低价位失之交臂，错失了回补库存的好时机，现在只能眼睁睁看着价格上扬。

值得注意的是，部分模组厂商透露，其实在6月中旬DRAM价格低点时，已有全球规模相当庞大的模组厂商，看准了当时DRAM价格已是最低点，加上传统旺季即将来临，纷纷向原厂提出包下大部分产能的计划，但当时大部分DRAM厂商都认为价格不佳，不想赔本售出，因而拒绝了大型模组厂商的提议。由此可知，DRAM厂在经历近半年低潮期后，这次是铁了心要涨价。

此外，受到台厂制程转换不顺及DRAM现货价格大涨影响，国际DRAM厂商股价全数走高。全球第一大内存制造厂商三星电子21日股价上涨2.1%，韩国第二大内存厂商海力士股价大幅跃升7.3%；日本厂商尔必达终盘则大涨4.4%，东芝（Toshiba）盘中股价也上涨了2.04%。

韩国Dongbu Securities分析师表示，DRAM价格上扬主要是受到台系厂商面临70纳米制程问题所致，业者生产面临难题，意味着供给增长将趋缓，有助于市场价格的回升。现代证券（Hyundai Securities）分析师也认为，就DRAM厂盈利的表现来说，近期涨价确实是一个好消息。