三星开始量产1Gb 60nm工艺DDR2内存

三星电子公司近日宣布，在全球率先以60nm工艺量产1Gb DDR2内存芯片。

采用60nm工艺后，产能将较2006年初引入的80nm工艺时提高40%，而比90nm工艺高一倍。

三星表示，随着Vista操作系统的上市，市场上对1Gb等高容量内存芯片的需求不断扩大，而Vista对内存的需求至少是1GB。而三星的60nm工艺1Gb DDR2内存可以以更低的成本生产出512MB、1GB以及2GB的内存模组（DIMM），速度可提高到667Mbps与800Mbps。也因此，三星认为在不久的将来市场对60nm工艺1Gb内存芯片的需求要超过512Mb容量的产品。

此外，三星还不断改良和加入新的技术，包括三星独有的三维（3D）晶体管技术，它可以使芯片的内核更为小巧，提供了更为出色的电路设计与更高的良品率。3D晶体管的一个关键的技术就是凹沟道阵列晶体管（RCAT，Recess Channel Array Transistor），它可以在三维的架构上构建DRAM的内核，从而提高存储密度。

三星的RCAT专利技术最早于2003年的VLSI座谈会上发表。新的3D晶体管技术将刷新周期加倍，这要归于纳米级的生产工艺。三星在90nm DRAM时代开始引入RCAT，而3D晶体管技术可以让DRAM继续进军50nm工艺等级。

在60nm工艺产品中，三星还在内容器中使用了金属-绝缘-金属（MIM，Metal-Insulator Metal）的架构，以加强数据存储的稳定性。

而且，新产品还采用了近期发表的选择性外延生长（SEG，Selective Epitaxial Growth）技术同，它提供了更宽泛的电子通道，以优化每一芯片的速度并降低能耗，从而提升性能表现。

三星的60nm工艺DRAM开发起始于2005年，而50nm工艺的开发已经在2006年10月份开始。三星预计，60nm工艺DRAM将在2008年成为市场的主流，届时60nm工艺的DRAM的全球销售额将达到23亿美元，到2009年增加至320亿美元。