三星率先量产51nm制程16Gb NAND闪存芯片

三星电子（Samsung Electronics）宣布成为首家量产51nm 16Gb NAND闪存的公司，该容量为业内最高，而51nm工艺也是目前最精密的制程技术。

“量产全球密度最高的NAND闪存后，我们为采用闪存技术的消费电子提供了更广阔的舞台，”三星半导体闪存市场总监Jim Elliott说，“为了使成本最小化并提升性能，我们采用了最精密的制程技术，和业内55nm及以上工艺相比领先了‘半代’。”

三星51nm NAND闪存芯片比采用60nm制程的效率提高了60%以上，三星自从去年8月发布60nm 8Gb NAND闪存之后，仅用了八个月就达到了新的里程碑。

全新的16Gb芯片采用MLC（Multi-level Cell，多级单元）架构，使得一张存储卡可以轻松达到16GB的容量。此外，采用新制程技术后，芯片的读/写速度也比当前的MLC芯片提升了80%左右。

NAND闪存的读写单元称为“页面（Pages）”，60nm NAND闪存页面大小为2KB，而51nm 16Gb版本的页面达到了4KB，数据传输率几乎提升了一倍。该产品同时采用了和60nm NAND同样的4bit 纠错码（Error-correcting Code，ECC），用户可以在现有的系统界面上使用该芯片，需要做的仅仅是升级固件。4bit ECC可以保证良好的纠错能力和可靠性，而无需价格昂贵的控制器。

三星将会提供经过优化的闪存软件包和集成固件的存储设备，让音乐手机和MP3播放器等产品支持4KB页面，同时，多平面（Multi-plane）规格和平均读写（Wear-leveling）特性将会带来优化的性能和更高的可靠性。支持4KB页面的存储卡和MP3控制器目前也已经上市。

16Gb NAND闪存可以满足高端音乐手机和用户生成内容（UCC，User Created Content）日益增加的容量需求，高分辨率中高端数字摄像机也会受益于55nm 16Gb 的容量和性能优势。

16Gb NAND的技术支持已经到位，该闪存芯片的需求量增长十分迅速，预计今年年底将会进入主流市场，到2010年预计全球销量将达到210亿美元。