奇梦达65nm工艺后将采用堆栈型DRAM

德国奇梦达（Qimonda AG）日前公布了可实现4F2单元尺寸的30nm工艺开发蓝图。将采用名为“Buried Wordline”的堆栈型DRAM单元技术。该公司已在65nm制造工艺中导入了该技术，将从2008年下半年开始生产1Gbit DDR2。

奇梦达定于09年下半年量产采用Buried Wordline的46nm工艺DRAM。采用该技术，每个晶圆的比特数将达到该公司沟道型58nm工艺产品的2倍以上。为将目前的沟道技术转变成堆栈型Buried Wordline技术，将追加投资约1亿欧元。资金来自该公司的流动资金。该公司表示，通过融合基于堆栈型电容器的高效制造工艺和Buried Wordline技术，投资只需较少的金额。（记者：吉泽 惠）