中国台湾力晶进军NAND闪存市场

力晶目前虽还并不是全球最大DRAM厂，不过以其追赶国际DRAM大厂速度来看，不难发现力晶过去不断宣示其在DRAM市场决心与努力，于日前董事长黄崇仁宣布力晶要成为全方位的内存供货商后，再度复制过去DRAM成功模式，希望能够在NAND型闪存市场中占有一席之地。

数10年前，力晶刚进入标准型DRAM市场所采用的策略便是先由技术授权开始，从日立（Hitachi）技术授权后，便展开其DRAM辉煌之旅，虽后来日立与另一大厂共同成立尔必达（Elpida），力晶依然遵循过去技术授权模式，持续深耕DRAM产业，期间外界不断质疑力晶仅靠技术授权恐难立足，不过对于力晶来说，仍不顾旁人眼光持续坚持下去，目前已成为台湾最大DRAM厂，且依照未来计划，力晶将会在6年内再兴建4座12英寸晶圆厂，完全可看出力晶绝对是全力以赴，不是说说而已。

在其它竞争对手陆续宣布踏入NAND型闪存市场后，对于日前对外宣示要做1家全方位内存供货商的力晶来说，自然不会在这一产业中缺席，也因此除了自立自强成立NAND型闪存的IC设计公司外，另一方面，重新复制过去在标准型DRAM产业所创立下来成功营运模式，希望能加快在NAND型闪存市场成功速度。

这就是为何力晶要先行自瑞萨（Renesas）技术授权，取得瑞萨1Gb产品技术授权及营销专利，希望能藉由这样动作，当做力晶踏入NAND型闪存市场踏脚石，这好比当初力晶自日立取得DRAM制程技术一样，接下来为能进一步站稳NAND型闪存市场脚步，力晶更进一步与瑞萨签订4Gb授权及营销专利，即便部份人士质疑力晶目前仅拿到瑞萨4Gb产品授权，而目前竞争对手均已将规格拉高至16Gb、甚至32Gb，力晶4Gb产品如何与其它人一较高低。

这就好比当初力晶刚跨入标准型DRAM市场一样，多数人不看好采用日本厂商技术，原因在于日厂所制造出来的东西可能太贵，无法与其它厂商竞争，但经过力晶近几年来的努力，终于做出产品好且又兼具成本优势标准型DRAM，如今看来，力晶在NAND型闪存领域也将如此，虽外界认为瑞萨自身都已暂时不做AG-AND型闪存，接手的力晶势必也难有做为，不过依照过去历史经验来看，到最后力晶要在闪存市场闯出一片天仍是有机会的。