台湾厂商加入全球NAND闪存技术竞赛

台厂在NAND型闪存技术发展脚步明显加快，过去力晶仅能替其策略合作伙伴瑞萨科技（Renesas）代工1Gb的NAND型闪存，现已可替其代工4Gb的NAND型闪存，对力晶来说可算是一大进展。虽还无法与三星电子（Samsung Electronics）或东芝（Toshiba）一较高低，不过对其他国际NAND型闪存大厂如美光（Micron）及海力士（Hynix）而言，在生产进度上已可算是不遑多让。

对于力晶来说，除了持续降低标准型DRAM生产成本外，更重要的便是如何有效且快速切入NAND型闪存市场。然目前几家国际NAND型闪存大厂还掌握相当多的制造专利及技术，短时间技术移转的机率可说是相当渺茫，因此力晶目前唯一能做的，便是从替国际NAND型闪存大厂代工做起，由此部份开始从做中学，看未来是否有机会进一步切入技术共同开发。

力晶董事长黄崇仁不仅一次在公开场合中表示，NAND型闪存是力晶下一阶段相当重要的目标，因此力晶多方面全力进攻闪存领域，除了先前替瑞萨代工NAND型闪存外，同时也自行成立了前讯科技闪存芯片组设计公司，希望能够藉由多元化经营模式，让力晶能快速进入此一领域，而且有能力与国际NAND型闪存大厂一较长短。

据了解，目前瑞萨的1Gb产品除了持续在日本生产外，也有相当大比重开始委由力晶代工。而数个月前，力晶生产1Gb产品时良率还无法有效达到瑞萨所要求的标准，因此瑞萨还无法同时将高阶4Gb产品委由力晶代工，但现今在力晶生产1Gb产品良率上已达到相当程度水平后，目前瑞萨也正式将其高阶4Gb商品正式委托力晶代工。

力晶目前虽还未真正能够全面掌握NAND型闪存的制程技术，不过在生产能力上可说已获相当程度肯定，因截至目前为止，国际NAND型闪存大厂如美光及海力士虽都能开始进入投产4Gb规格产品，不过其4Gb的产品依然还是采用2颗NAND型闪存所堆栈，还没达到投产单颗4Gb的NAND型闪存。

相较国际NAND型闪存大厂，力晶目前已有能力开始替瑞萨代工单颗4Gb的NAND型闪存产品，足以显现出力晶优越的制造能力。而对力晶而言，未来如顺利研发高容量NAND型闪存，也将有助于力晶快速进入投产阶段，对其产能也将有相当程度的帮助。