力晶明年3Q采自有技术推8Gb NAND闪存产品

对于力晶（PSC）进入NAND型闪存市场，业界多认为其重要策略伙伴瑞萨（Renesas）一旦退出NAND型闪存市场，力晶将丧失其技术支持，未来难与竞争对手抗衡，但力晶10日提出反驳指出，至2007年第三季力晶将有自有制造技术的产品问市，时间点恰好衔接上日前来自瑞萨授权4Gb技术。

力晶董事长黄崇仁曾对外表示，力晶将成为1家全方位内存大厂，当时便有多业者认为，力晶仅是1家能够制造销售DRAM的厂商，至于被视为未来相当重要的内存商品NAND型闪存，这部份力晶仅替瑞萨代工，要谈得上全方位内存供应大厂，似乎还有段距离。

不过，目前力晶除了是1家可替瑞萨代工的内存大厂外，现在已是可采用自家制造技术生产NAND型闪存的全方位内存供货商，希望藉由这样的举动，打破未来一旦瑞萨退出NAND型闪存市场后，力晶将陷入未来无制造技术来源窘境的迷思。

力晶指出，目前已有1组团队正积极研发更高容量的NAND型闪存产品，也就是除先前已与瑞萨签下可采0.13微米制程技术生产1Gb AG-AND型闪存及采90奈米制程技术生产4Gb AG-AND型闪存外，力晶也将会有完全自有IP及制造技术的NAND型闪存商品问市，估计正式导入量产的时间点将会落在2007年第三季左右，摆脱过去仅是单靠瑞萨制造技术生产NAND型闪存束缚。

虽说目前国际NAND型闪存？大厂均已将容量提高至16Gb，甚至到达32Gb，相较之下，力晶虽到2007年第三季才正式将8Gb产品导入量产，不过，这未必是件坏事，原因在于大厂们均将焦点放在高容量NAND型闪存市场，如此一来，对于较低容量市场便无法全力投入。

事实上，低容量市场并非没有商机可言，像是8Gb的NAND型闪存产品便可制造出1GB的记忆卡，对于一些入门级的基本运用已相当足够，不一定需要挤进高容量市场。