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三星电子公司日前宣布，开始以80nm的生产工艺批量生产512Mb DDR2内存芯片，据悉，相较于原来90nm的工艺，新工艺可以提高50%的生产效率。
三星表示，80nm工艺生产线沿用了大部分90nm生产线的技术与设备，因此保证了在最小改动与投资情况下升级为80nm的可靠性。
此次80nm的内存芯片采用了被称为凹道阵列（RCAT，Recess Channel Array Transistor）三维架构的单元晶体管，它是由在硅基板上挖孔然后填入氧化膜与门级电路而成，大幅度减少了电流流动的长度，保证了数据保持特性细微化的可行性。
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