三星、海力士70、90纳米制程受阻

近来全球NAND型闪存价格走势怪异，原本自7月中旬一路走跌，近期却突然翻多飙涨，内存业者透露，主要系2大供货商三星（Samsung）电子及海力士（Hynix）在高端制程产出均发生问题，导致供应突然降低，加上市场即将进入消费性电子需求旺季，NAND型闪存需求攀高，业界并预期8月恐将引爆一波大缺货。对此说法三星已予以证实，海力士则未回应。

NAND型闪存自7月初以来价格走势，宛如大洗三温暖般，一下价格急速上涨，但不到几周时间又迅速走跌，近期又开始呈现上涨趋势，其中，近期NAND型闪存价格上攻，主要系2大制造商在其晶圆厂最新制程技术出现部份问题，导致整体产出量完全无法因应客户端强烈需求。

内存业者指出，由于三星、海力士均希望加紧脚步，抢占更多市场占有率，因此，纷藉由制造成本优势，来吸引更多客户采用，而为要降低制造成本，可透过将制程技术再升级到下一世代，或是将原本采用堆栈才能制造更高容量闪存模式，更换为采用单一颗粒便能达到相同高容量模式，而三星及海力士则不约而同地转进所谓单一芯片及下世代制程技术。

三星表示，目前最新制程技术已推进至70纳米制程，且已开始采用70纳米来量产4Gb NAND型闪存。至于海力士方面，目前则已开始采用90纳米制程生产2Gb产品。不过，因为均是采用最新制程及单一芯片，因而迫使2大供货商在产出上出现问题，进而导致全球NAND型闪存出货量受到限制。

此外，当前又是市场需求渐入佳境期间，客户对于NAND型闪存需求有增无减，像是目前三星产出量已有高达70％左右产能，已被苹果（Apple）计算机及新力（SONY）一举包走。原本市场认为，三星已采用最新制程量产单一芯片4Gb产品，产出量应会增加，不至于没货，不料三星此一新制程却出现些微差错。

因此，原先采购者便将矛头指向海力士，希望藉由海力士新制程所生产单一2Gb产品，堆栈成为1颗4Gb芯片，但又遇上海力士同样在新制程遇上瓶颈。在2大供货商双双出现问题情况下，采购厂商只好将方向指向现货市场，进而导致闪存价格一路狂涨，预料到8月份将会引发新的一波缺货荒。