美光12英寸晶圆厂 NAND闪存大军出动

内存大厂美光科技（Micron）近来可说是“重闪存、轻DRAM”，就连最新的12英寸晶圆厂中，也是将闪存（NAND型闪存）列为首要量产项目。据了解，几个月前美光已开始采用12英寸厂投片NAND型闪存，6月起美光12英寸厂将量产近百万颗的2Gb NAND型闪存，而除了NAND型闪存外，美光也同时加码另一非内存（Non-memory）产品的投片量，影像感测组件（CMOS Image Sensor）产品亦将同时采用12英寸厂量产。

过去美光大多以8英寸厂量产NAND型闪存，由于8英寸厂设备大多已折旧摊提完毕，因此生产NAND型闪存成本上较具竞争优势；然而，因8英寸厂设备大多较为老旧，因此对于美光而言，若要继续采用8英寸厂投片标准型DRAM芯片，反而较无竞争优势，因此8英寸厂最佳投产商品便落在NAND型闪存身上。

不过，随着美光推出的NAND型闪存，已不再像过去一样属于较低容量的规格，美光已开始将主力产品推进至2Gb规格，因此必须采用较为先进12英寸厂生产；再者，其它竞争对手如三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）及海力士（Hynix），均已开始用12英寸厂投产NAND型闪存，因此对于美光而言，以12英寸厂投产NAND型闪存势在必行。

据熟悉美光内部的人士表示，几个月前美光已开始以12英寸厂投产NAND型闪存，而依目前美光12英寸厂产能约达2万片规模来计算，当中将有15％左右、约3,000片的产能会用于投产NAND型闪存，而以每片12英寸晶圆能生产的NAND型闪存芯片约达300多颗来计算，美光6月将产出近百万颗的NAND型闪存。

也因为以12英寸厂投产NAND型闪存，采用的是最先进的制程技术，因此对于美光而言，也会将最新的2Gb产品以12英寸厂投片，市场认为，一旦这批2Gb NAND型闪存开始全面供应到市场上，势必会对2Gb NAND型闪存产品价格再度形成一定程度的压力。

而这样的结果，也与日前创见董事长束崇万认为的一样，在新加入的NAND型闪存供货商供给逐渐增加，加上上游产能全数开出之下，第二季NAND型闪存价格将有一定程度的压缩，Q3将有跌价压力。

美光日前曾表示，2005年美光的营运重点，将放在非标准型DRAM芯片以外产品，除了NAND型闪存外，CMOS Image Sensor也会是重要的营运项目，因此美光除了继续于8英寸厂投单外，12英寸厂目前也已有部份产能开始加入投片行列，因此未来美光将可望再度提供客户端更有成本竞争优势的CIS产品。