生力军杀到！美光2Gb NAND型闪存 5月大量出货

美光（Micron）新的NAND型闪存产品，在众多下游闪存（闪存）制造商期盼下，5月上旬可望开始顺利供货。据了解，美光新推出的NAND型闪存芯片组，一推出便是容量高达2G的产品，由于该项产品采用90纳米制程生产，生产成本上将更具优势。部份DRAM模块厂表示，因美光采用最新制程量产2G产品，卡片读取速度将较三星（Samsung）快上1倍，完全符合闪存读取快速的要求。

NAND型闪存制造商指出，美光自2004年起便表示，2G容量的NAND型闪存第四季（Q4）可望推出，但美光这张支票一直“跳票”，到2005年Q1末仍然未见。而厂商原本希望当时全球NAND型闪存还掌控在2大生产商手上时，能多1家供货商将有更大的议价空间。

而至2005年Q1，美光非但未能大量生产2G产品，甚至无法明确保证量产时程，直到5月，闪存制造商表示，美光已开始大幅量产2G规格的NAND型闪存产品，且不像过去1家厂商仅能分到少之又少的产能。

闪存业者表示，美光所推出的是1款单颗的2G NAND型闪存产品，不像市面上一些宣称是2G的规格，但却是由2颗1G容量所堆栈而成，而其制造成本上因采用2颗NAND型闪存报价相对较低，但美光则是单颗便已达2G容量，因此成本上可能较高。

美光这款2G容量的NAND型闪存采用90纳米制程，因此制造成本已可降至一定程度，美光虽较晚进入闪存市场，但一推出便是不同凡响的产品。闪存制造商表示，美光因采用90纳米制程技术，因此写入速度上较其它对手更快，而这样的特性也是多数闪存制造商所乐见的，毕竟闪存最重要的便是在于其读取速度，如此部份有较佳的表现，将有助于业者大量采用美光的产品。