Matrix宣称研制出全球最小的1Gb内存

多层反熔丝一次性可程序ROM供货商Matrix Semiconductor公司宣布，研制出全球最小的1Gb内存。这款内存芯片面积为31平方mm，整合了该公司所称的延伸其三维半导体设计领导地位的两种技术，即所谓的「混合缩放(hybrid scaling)」及分段字线(segmented wordline)结构。

透过采用上述两种技术，Matrix能够在相同面积的芯片上实现双倍的位容量。混合缩放其实是缩放内存设计某些部份时，不缩小其它部位。它在3D电路层内整合了不同的制程几何尺寸。在1Gb ROM内采用混合缩放的特色是150纳米规则制造的逻辑层与后来的130纳米规则储存层并存。

Matrix声称能够采用现有的180纳米工具实现此一特色。这使Matrix能够在给定的逻辑数组上增加储存位，因而缩短了开发时间，达到快速上市的目标。而分段字线结构是该公司的第100项专利，使非储存逻辑电路效应最小化，减少了将近25%的芯片面积。