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韩国三星电子公司于当地时间11月25日推出基于DDR2内存技术的1GB内存模块Fully Buffered Dual In-line Memory Module(FB-DIMM)。将从2005年第1季度开始批量生产。
伴随着内存总线速度的高速化,现行内存模块在每个通道上的传输速率出现下降趋势,而要提高通道速度则又会受到容量的限制。
FB-DIMM通过建立1对1的链接,将多个内存模块和特定通道直接相连,解决了现行内存中由于Stub-bus构造导致的在通道中发生的瓶颈问题。由于该产品各模块都设有缓存,因此称之为FB-DIMM(完全缓存型DIMM)。使用该缓存速度可达3.2G~4.8Gbps,相当于DRAM的6倍。
“FB-DIMM为新型结构的内存模块,它将突破以往的Registered DIMM的性能极限。有利于大幅增加容量和带宽,从而提高服务器和工作站的数据处理速度。”
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