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美光:请看我们的新型闪存存储方案

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一位美光公司分析师日前透露,该公司认为至少在未来五年内以忆阻器为代表的电阻RAM技术恐怕不会有太大作为,而面向服务器的易失性/非易失性存储方案则将迎来迅猛发展。在会议期间,美光公司自身提出了大量技术层面的好点子。

来源:ZDNet存储频道(编译) 2014年2月11日

关键字: 美光 闪存 HMC

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一位美光公司分析师日前透露,该公司认为至少在未来五年内以忆阻器为代表的电阻RAM技术恐怕不会有太大作为,而面向服务器的易失性/非易失性存储方案则将迎来迅猛发展。

在会议期间,美光公司自身提出了大量技术层面的好点子。

作为发言的切入点,公司CEO Mark Durkan首先谈到了客户合作关系、而后又转向战略合作关系——言下之意是说美光与其客户之间合作无间,竞争对手们可以放弃争夺买家的念头了。

目前存在五大技术发展趋势:网络化、机器到机器、移动化、云计算以及大数据。他同时强调称,其客户目前遍布各个领域,其中网络方面还包括NetApp——大家不妨自行理解。

 美光:请看我们的新型闪存存储方案

他还指出,行业供应量增幅目前正在放缓,而这种放缓趋势也催生了20纳米DRAM、混合存储立方体(简称HMC)以及MLC/PCIe企业级SSD等产品。其中“混合存储立方体是一套复杂度极高的内存系统,配备高密度DRAM、功能全面的A6处理器以及与处理器相匹配的高速接口。”

目前HMC方案进展如下:

  • 2GB与4GB选项目前已经正式投放市场;
  • 工程样品于今天开始出货;
  • 拥有多套合作伙伴演示平台;
  • 批量生产将于今年秋季正式开始;
  • 正在进行的第二代方案设计将带来18GB以上容量;
  • HMCC适配器已经迎来第三代设计草案。

美光公司将同时拥有MLC与TLC HMC产品。

Durcan坦言目前的美光TLC尚存在不足:“我们发现自己的竞争对手们在三级单元闪存方案的研发成果更为出色。当然,并不是我们无法取得这样的成就。最重要的是目前我们正在努力,这不算什么新闻,但我们确实开始迎头赶上了。”

美光公司总裁Mark Adams讨论了美光目前正在开发的项目:“如今我们的着眼点已经不再局限于一套标准化型号配置;真正的重点在于控制器技术、固件、软件甚至包括存储设备开发,这一切都是为了向我们的客户群体提供便利。”

美光公司研发部门副总裁Scott DeBoer指出,美光的25纳米DRAM技术方案已经相当可靠而且日渐成熟,而20纳米领域则仍处于开发阶段:“在我看来,以如此精密的工艺打造双节点确实非常困难,不过这也是技术进化的必要障碍。因此我认为我们已经找到了通往未来的明确道路。我们将其称为1x与1y节点……我想我们已经踏上了实现这项研发设想的正确方向,但节点可能还面临着巨大的潜在技术挑战,需要更多创新型方案加以解决。在接下来的一年当中,我们可能会进一步讨论设想中的下一个技术进化节点,当然我们也会全力以赴让整体规划变成现实。”

在NAND方面,16纳米开发随着制造业的工艺升级而变得非常顺利:“我们目前已经拥有第一款采用16纳米节点的合格SSD产品。”

DeBoer还补充称:“纵观2013年,另一大里程碑式事件在于系统正式迎来HMC机制——也就是混合存储立方体。”

预计今年上半年这项技术就会推出产品样品。

美光一直在密切关注3D NAND与传统平板设计方案之间的性价对比,并认为HMC有可能成为后16纳米时代平面设计的继任者。第二代HMC将比第一代更具性价比。下面这份图表显示了各代存储方案的时间标度:

 美光:请看我们的新型闪存存储方案

这份新兴技术时间表很有意思。其中的PCM美光一直没有放弃与PCM方案间的竞争。

DeBoer指出:“我们相信真正的发展机遇在于专注精力冲击超高性能非易失性技术。被我们称为‘存储级内存’的中端非易失性方案在性能表现上略好于NAND,但成本结构却比DRAM差得多。因此,我们认为整个技术业界的发展方向是,这两种技术不一定能够彻底取代DRAM或者NAND,但仍有机会作为高性能解决方案存在。所以我们开始将注意力集中到新内存技术的开发工作中来。”

不过他同时补充称:“我们仍然把NAND及DRAM视为至少未来五年内最适合应对特定业务需求的惟一产品类型,而且所谓‘特定’业务其实很难明确进行定义。”

DRAM解决方案副总裁Brian Shirley在谈到非易失性DIMM(简称NVDIM)技术(SanDisk方面称其为ULLtraDIMM)时指出:“对于用户来说,DIMM看起来与内存模块无甚区别。我们采取同样的接入方式、选择同样的接口,但二者的差异在于,DIMM模块上具备有控制器以及美光NAND。”

“该模块实际上能够实现永久存储功能,而且这类方案最终引发了我们的每一位服务器OEM厂商客户的极大兴趣。目前DDR3规格已经得到了广泛认可,在2014年之内我们还将进一步向DDR4迈进。”

他认为这类方案将充当系统检查点,而PCI-E闪存则会被作为实时数据缓存机制。

下面一起来看相关要点:

  • 4GB/8GB DRAM/NAND
  • 高耐久性SLC NAND
  • DDR3L-­‐1333, DDR3-­‐1600
  • 8GB/16GB DDR3
  • 计划推出16GB/32GB DDR4

换个话题,他谈到自动机处理器——也就是配备有处理元素的DRAM内存阵列——可以作为一套非常出色的模式识别引擎,适用于处理视觉识别、网络病毒检测以及生物信息分析等工作。但这条道路仍需要漫长的发展周期。

他还回答了关于HMC营收的问题:“在2014年HMC将实现盈利,而在2015年我们认为大家会将其视为发展迅猛的产品方案。”

美光最初将HMC打造为面向高性能计算领域的产品,但如今他们预计其同样有机会在网络层面一展拳脚。

此外,Shirley探讨了美光所使用的Virtensys PCIe总线扩展技术:“我认为当我们于2015年真正开始起步之后,大家会看到融合型PCIe交换机在接近网络与服务器CPU距离方面扮演的重要角色,并迎来此类产品的显著发展。而这正是Virtensys架构的主要诉求。”

美光目前已经在愈发广泛的存储领域成为技术革新的推动者。我们对HMC技术在网络领域的表现感到好奇,也期待闪存DIMM席卷每一家服务器制造商的发展前景——当然,我们更不会错过SanDisk与美光之间的激烈竞争。

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