EMC发布闪电计划PCIe卡“雷电”接踵而至

EMC将宣布推出期待已久的“闪电计划”（Project Lightning）——现已命名为VFCache产品线，该计划是将出售用于服务器、基于PCIe NAND的闪存卡，作为一个可以提升I/O性能高达4000倍的缓存元件。

EMC还将公布“Project Thunder”计划，是要在今年第二季度推出配置15TB以上PCIe NAND闪存存储的设备。据EMC称，该设备将通过InfiniBand网络协议连接至服务器群，将采用5个、10个或者15个PCIe卡。

EMC闪存业务部门高级副总裁Mark Sorenson表示：“你可以把它看做个一个大的可共享的VFCache卡。我们说的可是高达数亿的IOPS。”

VFCache卡是基于高端SLC NAND闪存的，而不是更受欢迎的MLC闪存，后者有更高的容量，但是性能和耐用性稍差一些。

目前，EMC还在自己的存储阵列中配置采用SAS接口的2.5英寸固态盘。Sorenson表示，今年EMC将过渡至在其存储阵列中采用基于MLC的固态盘，这样（当结合特定中间件时）成本更低一些，并且可以达到企业级耐用性。

今天，EMC宣布已经通过销售阵列产品出货了超过24PB的NAND闪存，这代表着，从2009年到2011年期间这部分业务增长了近800%。

EMC新推出的VFCache PCIe卡容量为300GB，主要由美光（Micron）公司提供给EMC。Soreson表示，EMC预计今年夏季将出货700GB的VFCache卡，但同时他也表示“300GB已经是很好的了”。

EMC将与渠道合作伙伴共同向客户供货VFCache卡。VFCache主要针对读取密集型应用服务器，例如Oracle和SQL数据库，Sharepoint甚至是Exchange环境。

Sorenson表示，很可能EMC还将把VFCache与思科的UCS服务器捆绑到一起。该服务器是vBlock的一部分，另外还有EMC的存储阵列和VMware的虚拟化软件，以及思科的网络交换机。

Sorenson明确表示，VFCache以及即将推出的闪存设备是对后端主存储阵列的补充，后者更适合于写入密集型应用。他表示，VFCache闪存卡将不会影响EMC的网络存储阵列，但是可以作为前端NAND闪缓存。

Sorenson表示：“你会看到前端服务器有更多的读取操作，而后端存储阵列将有更多带宽处理写操作。”

EMC现在在转销美光半高半长的P320h产品，在128K数据块下的最高连续读性能为3.2GB/s，4K随机块下性能最高可以达到715000 IOPS。

VFCache卡可插入服务器标准PCIe插槽中，配合一个运行在主机服务器上的过滤驱动程序。当主机发送一个I/O操作的时候，VFCache驱动会对其进行拦截，检查内存table看缓存中有什么数据，如果数据是在闪存中的，那么它会从服务器处理这个I/O读取请求，如果数据不在缓存中，驱动程序会通过SAN向一台EMC存储阵列发送一个读取或者写入请求。

Sorenson表示，VFCache目前还没有经过认证可以兼容其他厂商的存储阵列，他没有给出原因。但是，VFCache已经针对EMC存储系统进行了优化，“这款产品不存在厂商锁定的问题”。

Sorenson还暗示说，新推出的PCIe卡并不是非常适合于VDI和服务器虚拟化环境，他说，网络存储阵列最适合于这些环境。“VDI使用这些卡没有问题，但是通常这些环境下有更多的写操作。虚拟化环境下，取决于使用情况和运行在该环境中的应用。”