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日本DRAM大厂尔必达今天宣布,已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒。这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量,只需单面8颗即可组成4GB容量内存条,双面16颗即可构成单条8GB内存。
该颗粒使用40nm CMOS工艺制造,相比同工艺的2Gb颗粒可节能30%。支持x4、x8、x16 bit位宽,其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装,x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外,还可支持1.35V低压标准。
尔必达计划将该颗粒使用在单条32GB RDIMM/LR DIMM服务器内存(36颗DDP双层堆叠封装颗粒),或8GB ECC内存(18颗颗粒),或单条8GB的SO-DIMM笔记本内存(16颗颗粒)上,也将向消费电子产品厂商出货单颗DIMM颗粒。预计该颗粒将于今年二季度内在尔必达广岛工厂开始试产,三季度实现量产。
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