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通过与南亚的技术合作,美光正在继续发展其c内存产品线。本周他们就宣布,已经开始试制2Gb容量LPDDR2内存颗粒样品,将主要面向ARM架构智能手机、智能本等移动设备。
该LPDDR2内存工作电压为1.2V,相比LPDDR1可降低50%功耗,同时数据传输率达到1066Mbps。支持高级电源管理技术,可在闲置时关闭部分存储区域的电源。
除作为独立设备使用外,该2Gb LPDDR2颗粒也可与美光的多芯片封装(MCP)或堆叠封装(POP)解决方案的NAND组合使用。通过堆叠四片这样的2Gb LPDDR2内存颗粒,可实现超高密度的8Gb(1GB)移动设备内存解决方案。
美光表示,预计2Gb LPDDR2将在今年第三季度实现量产。
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