美光南亚发布42nm铜制程2Gb DDR3颗粒

美光和南亚公司今天共同宣布，已经成功开发出采用42nm铜制程工艺的DRAM制造技术，打造出2Gb DDR3内存颗粒。

降低成本、提升性能、降低能耗通常是提升制程工艺的主要目的，美光与南亚此次合作推出的42nm工艺就在降低功耗上有突出表现。使用该工艺打造的DDR3颗粒额定电压仅为1.35V，低于DDR3标准的1.5V，未来制造出的内存条耗电量有望降低30%。另外，该工艺颗粒容量达到2Gb，可以制造最大16GB内存条。

美光、南亚的新工艺使用了基于金属铜的制程技术，相比传统的铝制程，铜的延展性和可靠性更好，在更先进工艺中也拥有着成本优势。美光与南亚表示，目前正在开发的下一代3xnm工艺仍将继续采用铜制程技术。

美光和南亚的42nm工艺2Gb DDR3颗粒将于今年第二季开始出货样品，下半年实现量产。