东芝发布支持SLC和MLC架构的mobileLBA-NAND芯片

东芝公司（Toshiba Corp.）和美国东芝电子元件公司（Toshiba America Electronic Components, Inc.）于加州当地时间6月21日发布了面向手机平台的全新系列嵌入式闪存mobileLBA-NAND，采用标准NAND闪存接口，支持SLC（Single-Level Cell，单级单元）和MLC（Multi-Level Cell，多级单元）两种架构，能够把应用软件程序和数据存储在同一片芯片中，可以有效减少手机芯片的采用数量以及内部空间。

mobileLBA-NAND将会采用基于多芯片设计的精细倾斜球状网阵排列（FBGA，Fine Pitch Ball Grid Array）封装，共有五种容量，其中2Gb、4Gb、8Gb可以把全部容量用于SLC，16Gb和32Gb则是最高支持8Gb的SLC。这款NAND闪存新品将于今年8月开始提供工程样品。

该芯片的标准接口电压为1.7 to 1.95V，存储器核心电压为1.7 到1.95V或2.6到3.3V。除了逻辑模块寻址（LBA）控制器外，mobileLBA-NAND闪存集成了一个特殊的控制器用于SLC和MLC的寻址，支持NAND闪存标准接口，LBA控制器拥有基本功能，例如写入块控制和ECC校检，几乎不必改变主机控制器的规格。