目标：替代NOR闪存！三星PRAM开始样品出货

三星电子在近日举行的纳米科技会议（Nano Tech）上宣布，新一代非易失性随机存储器（NVRAM）——相变内存（PRAM）已经开始向以手机厂商为主的客户样品出货，用于应用评价，第一代产品容量为256Mb至512Mb。公司预计2008年上半年开始批量生产，2007年4-6月间完成工程样品，2007年年底之前完成商业化样品。

三星将PRAM定位于替代手机中的NOR闪存，在这方面PRAM的写入速度要比NOR快，手机厂商可以因采用PRAM而获得程序写入用时缩短的好处，“来自手机厂商对于PRAM的评价相当正面，”（三星日本公司），“为了回应这种需求，处于工程与商业化样品之前的阶段即开始向客户供货评价用样品。样品采用90nm工艺200mm晶圆生产，该产品的生产技术在2006年的‘2006 IEDM’已经发表。”

512Mb PRAM生产用晶圆

三星目前是最大的NAND闪存厂商，而NOR闪存方面，Spansion则占据头把交椅，Intel紧随其后。三星在2006年下半年开始大规模采用90nm工艺生产NOR闪存，但比Intel的65nm步伐晚了一步，而此次以NOR替代者的PRAM存储器的样品出货，可以表明三星的态度，“PRAM的快速商品化，在竞争中无疑显露出三星的优势。”

不过，Intel也表明将在2007年第一季度出货90nm工艺的PRAM评价用样品。