台系DRAM厂商为提升70纳米投片量增加资本支出

台系DRAM厂商近来纷纷提高了2007年资本支出，继上周茂德为提高70纳米制程投片数量，率先调高2007年资本支出，达到了18.75亿美元，力晶于23日也对外宣布调高2007年资本支出，达新台币710亿元（约21.65美元），主要用于提高2007年70纳米制程的产出比重。台系DRAM厂商在70纳米制程技术良品率稳定后，为了奠定下半年的获利基础，调高资本支出，全力冲刺70纳米制程技术的产能。

力晶表示，目前力晶的70纳米制程技术良品率已经高达85%左右，而力晶的70纳米制程技术量产1Gb的DRAM芯片约700多颗，而量产512Mb的话则可高达1,400多颗，相比竞争对手的70纳米制程，所量产出的颗粒数要多出不少，力晶为了调高70纳米制程的生产比重，也提升了2007年资本支出。

到目前为止力晶已花费约312亿元新台币（约3.51亿美元）的资本支出，而瑞晶为了采购ARF SCANNER机器，使其制程技术进一步提高，因此调高了力晶2007年资本支出。估计到2007年第三季度，70纳米制程的比重将达到30%，第四季度平均将达到50%，第四季度末则有高达70%将采用70纳米制程技术，到时12A及12B与12M加总起来约有10万片左右产能采用70纳米制程技术量产。

茂德也因为预计要提高晶圆三厂产能以及加快晶圆四厂量产脚步，最初三厂规划月产能仅五万片，但至2007年上半年已经提高到六万片，预计9~10月可达到满载6.5万的月产量。另外也逐步提高70纳米制程的投片量，目前规划12英寸工厂在2007年底全数导入70纳米制程技术，平均生产成本能够降低25%~30%。至于晶圆四厂，则预计在2007年12月投片，等到2008年首季度将有上万片的月产出，因此茂德2007年的资本支出也将从最初的12亿美元，提高到18.75亿美元。

至于瑞晶部分，力晶则表示7月开始投入规划3万片产能，到2007年11月将慢慢抬升至3万片，估计瑞晶2007年资本支出到现在已经达到了200亿元新台币（约6.1亿美元），2007年第四季度会再增加更多的资本支出，主要是为了2008年5月将产能提升到7万片的满载产能，现阶段至7月份投片量约为8,000片，已经比预期6,000片要多出许多。