三星开发成功40nm工艺CTF架构32Gb NAND闪存

全球最大的内存生产商韩国三星电子公司今天宣布，开发成功40nm工艺生产容量达32b（4GB）的NAND闪存芯片，更为重要的是，在这一新容量的闪存芯片上还将使用三星自己开发的新架构——CTF（Charge Trap Flash，电荷阀闪），三星声称这一架构将是对NAND未来发展的一个重要技术革新，对NAND的性能与容量均有着重要的意义。

三星透露，采用CTF的NAND闪存，由于大幅度降低了存储单元内部的噪音干扰，因此获得了更高的可靠性，而这一架构也允许制造商以更为先进的工艺来进行生产，比如40nm、30nm甚至20nm，届时的容量也将高达256Gb。

在每个32Gb的芯片中，CTF中的控制栅（Gontrol Gate）的尺寸只有传统浮栅（Floating Gate）架构中控制栅的20%，而在CTF架构中，没有浮栅，数据被临时存放在闪存内由氮化硅制成的非传导层，也就是所谓的保持室（Holding Chamber）中，从而可以获得更高等级的可靠性与更好的存储电路的控制性。

32Gb的NAND芯片将使64GB的存储卡成为可能（使用16枚32Gb芯片），而一个64GB的存储卡可以记录64小时的DVD分辨率的电影（相当于40部电影），或是16000首MP3歌曲（相当于1340小时）。

CTF主要是基于TANOS架构开发而成，TANOS架构是以钽（Tantalum，金属）、 氧化铝（High K，高介电率材料）、 氮化物（Nnitride）、氧化物（Oxide）和硅（silicon）组成。这也是第一个在NAND闪存中使用一个金属层与High K材料相结合的TANOS架构。

早在2003年，三星的半导体开发团队就发表了TANOS CTF架构，而这次终于在三星的第七代NAND产品得以实现。不过，三星并没有公布，这一新产品的量产计划与价格信息。