三星展示三维结构NOR单元

三星电子在2006年6月13日开幕的“2006 Symposium On VLSI Technology”上发布了三维结构的NOR闪存单元。特点是将原来仅限二维方向的信道沿三维方向形成。目标是使NOR闪存的加工工艺迈入比45nm更高的阶段。

具体而言，就是在硅底板的通孔中形成沟通绝缘膜和浮动栅，沿三维方向形成信道。三星将这样形成的信道称为“Recessed Channel”。通过在三维方向上形成信道，源漏极间的有效信道长就会大于源漏极间的二维距离。这样一来，与原来的二维结构单元相比，就不易发生源漏极间的短信道效应。因此，更容易实现工艺水平的提高。

三星运用此次开发的三维单元试制了65nm工艺的512Mbit多值NOR闪存，并确认了优异的量产性。

在闪存之前，三星已先将Recessed Channel引入DRAM。目前已经开始大批量生产。DRAM中，通过在硅底板上加工氧化膜和栅电极来形成Recessed Channel。