美光斥资35亿美元重押NAND闪存　力抗三星与东芝

美光（Micron）全球执行长Steve Appleton在接受日经新闻媒体访问时指出，美光将会在2007年度投入35亿美元巨资做为扩充NAND型闪存设备，分析师认为，美光之所以会有如此规划，主要希望在接下来竞争激烈的NAND型闪存市场中，与三星电子（Samsung Electronics）及东芝（Toshiba）等大厂竞争，也正因为国际NAND型闪存大厂全力投入这块市场，台系DRAM厂将可因此在DRAM市场中取得绝对优势。

美光与英特尔（Intel）所共同出资成立的IM Flash内存公司，虽属于NAND型闪存市场的后进者，不过，IM Flash对于NAND型闪存企图心并不输给三星、海力士（Hynix）、东芝，除了在制程技术上的全力挺进外，同时在产能扩充上亦不落人后。

IM Flash虽在90纳米制程世代上输给三星、东芝、海力士，不过，为能跟上几家NAND型闪存大厂步伐，IM Flash更一举将制程技术直接跨入50纳米制程，至于在产能上，虽说目前仍采美光及英特尔自有厂房，不过，根据日前IM Flash对外公开数据显示，至2008年底或2009年初，IM Flash自有的12吋厂将正式进入量产阶段。

而为了能够持续保有市场竞争力，Appleton也于日前接受日经新闻采访时表示，美光已决定再斥资35亿美元，用于扩充NAND型闪存产能。分析师认为，这部份应该是用于扩增IM Flash自有12吋厂产能所需的机器设备，以便能在2008年让自有的晶圆厂顺利运作。

近来几家NAND型闪存一线厂商对于投资扩产丝毫未见手软，像是东芝在近期公布的2008年度半导体事业计划细项中，将更积极布局NAND型闪存，计划第五座厂最快在2008年内开始投产，估计第五座NAND型闪存投资金额将高达6,000亿日圆（约51.03亿美元），此外，也外传东芝尚考虑在新加坡筹建第六座厂，东芝对此虽予以否认，但足以证明就算第二大NAND型闪存厂，也完全不敢掉以轻心。

而面对这几大NAND型闪存厂不断扩充产能，对于标准型DRAM的投入程度自然不像过去那样深，但反观台系DRAM厂目前所有扩充产能，大部份还是用于投入标准型DRAM，像是茂德在投入晶圆三厂甚至是晶圆四厂，茂德都还是不改初衷表示，茂德绝对是优先用于投入标准型DRAM，至于NAND型闪存部份，则再依市场情况而定。

同样的，南亚科、华邦电等DRAM厂，所有投入资源无不是用于标准型DRAM，为的便是希望能够在国际内存大厂争夺NAND型闪存市场之际趁势坐大。