业界评析：英特尔与美光共营NAND的迷底

去年英特尔与美光向全球宣布成立NAND闪存合资公司，但并没有揭示合作的细节。合资公司是什么样的公司？它将给全球闪存市场带来何种变化？谁会是今年闪存市场的前三名？NAND的价格将会由谁操纵？NOR会被NAND取代吗？这一系列问题成为业界难以猜测的谜。在今年的国际集成电路展(IIC)上，《国际电子商情》的记者有幸采访了来自两家公司的闪存专家和高层，也因此揭开了一些大家所关心的谜局。

谜底之一

关于合资公司，全称为英特尔美光闪存技术公司(IM Flash Technologies )，该公司仅专注于NAND闪存生产，并不进行销售。“按照投资比例，产能的51%由美光公司销售，另外49%由英特尔销售，各自打各自的品牌。” 美光NAND闪存资深市场经理吕向东说道。目前IM有两个工厂，一个200mm晶圆厂，一个300mm晶圆厂，这两个工厂其实就是美光之前的NAND闪存厂。也就是说，合资公司直接采用了美光已有的NAND生产线。按计划，未来三年将再建三个300mm的NAND闪存工厂，并且会将目前的200mm工厂升至300mm。

因此，合资公司一成立，它就开始在供货了，只不过它的产能归双方所共有。这解开了业界关心的合资公司何时开始供货之谜，我暂且称之为谜底一。

谜底之二

因此，按照这一原则，我们发现英特尔早就开始在供应NAND闪存。不过，英特尔又是通过何种渠道在供应NAND闪存呢？它与其早先的NOR产品线有没有冲突呢？这是我们要解开的第二个谜。

英特尔公司闪存产品事业部业务开发经理Chris Ard解释说，英特尔公司在去年成立了独立的闪存事业，称为FMG，总裁为Brian Harrison，他直接向英特尔的CEO回报。FMG下面有三个部门，一个是专注于NOR闪存的FGP部，一个是专注于NAND闪存的NGP部，还有一个就是合资公司IM，Harrison负责这三个部门。有意思的是，不论是FPG还是NGP部门，都不直接销售产品，这两个部门都是负责市场开发和客户支持，所有的产品都由英特尔公司集团下已有的渠道消售，包括直销与分销，比如其在亚洲最大的分销商世平国际就是其中的渠道商之一。这是我们解开的谜底二。而美光公司仍是通过其已有的渠道在销售：“大客户采用直销，中小客户采用分销。”吕向东表示。

谜底之三

销售分开了，那么这两家公司在合资公司中分别扮演什么角色呢？“总的来说，我们出工厂和技术，英特尔出钱。NAND闪存是需要像DRAM市场一样的巨额资金投入的，有了英特尔的财力支持，可以使合资公司在市场上具有明显优势。另外，合资公司也采用了双方的优势技术。比如将会采用英特尔在NOR闪存中已成熟应用的MLC技术来提升NAND闪存的密度。”吕向东解释道。合资公司已出货的NAND闪存包括2Gb,4Gb和8Gb三种密度的产品。“我们不会生产1Gb以下的低密度产品，下一步要推出的是16Gb的NAND。”吕向东说道。这是我们解开的第三个谜。

全球NAND闪存市场前瞻

解开这三个谜之后，我们应该来分析一下IM对全球NAND闪存市场的影响了。像DRAM市场一样，NAND闪存厂商要在市场上起引导作用，拼的就是产能。目前三星公司基本上引导着NAND市场的发展，这也是归于它在产能上的具大优势，并且，它还在不断地将DRAM产能转为NAND闪存。产能大的好处还在于可以操纵价格，就像在DRAM市场一样。

但是，IM的进入肯定会改变这一格局，作为全球最大的半导体厂商，英特尔的销售收入几乎是排名第二的三星电子的两倍，他们两者将有得一拼。另外，吕向东表示，IM公司的NAND闪存产品与三星公司的产品管脚兼容，这为他们抢夺三星的份额又增加了一份说服力，“IM公司的8Gb和4Gb的NAND产品已被苹果公司在采用。”他透露。此外，我们看到英特尔此次转变也是迫不得已，因而会有破釜沉舟的决心。这就是NOR闪存已是夕阳西下，而NAND闪存则是如日冲天。

“NOR闪存终将被NAND取代，”吕向东称，“业界认为NAND不适合进行代码存储是一种错误的观点，也可以说是一种旧的观点。新一代的应用处理器几乎都增加了NAND控制器和NAND BUS，因此NAND闪存在与新一代的处理器工作时，进行代码存储的速度并不比NOR慢。”他解释说，以前NAND不适合进行代码存储是因处理器上没有NAND接口，只有NOR接口，所以需要转换。TI、飞思卡尔、高通和三星的应用处理器中均增加了NAND闪存控制器和NAND BUS，在一些高端的智能手机中，已没有采用NOR，全部用NAND替代。因此，从长远来看，NAND闪存将会取代NOR。“不过，取代不会是很快进行，是逐步进行的。因为目前市场上没有NAND接口的处理器仍占主流。”他解释。

正因如此，我们看到一些将NAND和NOR接合的产品在市场上出现。比如三星的OneNAND和Msystem公司的产品。这些产品的卖点就是在NAND闪存中集成了NOR的控制器，以便减小设计人员开发时的麻烦。此次展会上，Msystem公司展示了与海力士、东芝合作开发的此类产品。“我们针对主流处理器接口进行了开发，缩短了设计开发时间。并且我们与海力士、东芝公司同时拥有这种技术，他们也可以生产销售这些产品，这解决了用户对多个供应来源的要求。”Msystem公司负责人邓一成表示。目前此类产品在中国市场很受欢迎。

在英特尔方面，Ard仍表示NOR与NAND将会并存发展。“英特尔认为两者会并存，它们的功能不同，在中低密度市场上，NOR闪存具有优势。”因此，我们看到英特尔在提升NOR闪存的密度方面不如竞争对手快，他表示英特尔会在明年推出采用65纳米的1Gb NOR闪存，而目前的最高密度是512Mb，“目前市场上对NOR的平均需求是128Mb”Ard表示。虽然其竞争对手Spansion已宣布推出1Gb的NOR闪存，但看来英特尔是有意要减慢NOR的密度提升速度。尽管Ard不承认，但我们认为英特尔的重心已开始向NAND市场倾斜。

至于NAND市场会不会吃掉DRAM市场这问题，吕向东表示，DRAM与NAND是两个相辅相成的技术，比如NAND闪存用于读代码和存储代码，DRAM则用来执行代码。“就像NOR一样，它也需要配合PSRAM来执行代码。”他称。