海力士紧追三星NAND 闪存制程不放

继全球第一大NAND型闪存制造商三星电子（Samsung Electronics）日前宣布将采用50纳米制程技术推出16Gb的NAND型闪存后，全球第三大NAND型闪存供货商海力士（Hynix）也开始采用70纳米制程技术生产更高容量的NAND型闪存芯片组，以降低生产成本、确保竞争优势，让NAND型闪存芯片组报价持续降低，进而达到扩大市场目的。

日前三星才正式对外公布将于2006年下半起，开始采用50纳米制程技术量产16Gb的NAND型闪存产品；据了解，海力士目前也将开始采用70纳米制程技术生产更高容量的NAND型闪存芯片组，除了日前已推出的1～8Gb外，16Gb的NAND型闪存也将采用70纳米制程，与三星相较可说毫不逊色。

事实上海力士日前早采用90纳米制程生产1～8Gb规格产品，且多数采用SLC（Single Level Cell）技术，70纳米制程仍将继续采用SLC技术，且由4～16Gb规格产品都有。依照海力士产品蓝图来看，最快可于2005年11月送交客户16Gb规格产品，2006年便可开始进入量产阶段，而时间与三星推出16Gb产品时间点不谋而合，2大NAND型闪存大厂竞争火药味相当浓厚。

至于海力士与意法半导体（ST）共同于无锡兴建的8吋厂，其制程技术最快将于2005年底由海力士韩国的晶圆厂转移，无锡8吋厂会先同时生产DRAM与NAND型闪存，2006年上半有可能开始采用70纳米制程来生产高容量NAND型闪存，2006年底可进一步升级到12吋厂生产内存产品。

市场分析师认为，无论是三星或海力士，进行制程升级最大的用意便是希望能提高产能、降低生产成本，唯有这样才能够让更多消费者进一步来采用NAND型闪存当储存媒介；日前三星电子半导体事业群总裁黄昌圭便直言，未来NAND型闪存将会逐步取代当前储存媒介，三星第一步便是要让笔记型计算机（NB）储存产品由硬盘更换为NAND型闪存，如今藉由NAND型闪存产能源源不绝开出，这样的目标似乎指日可待。