英飞凌NOR闪存喊停 集中精力主攻NAND

全球NOR型闪存芯片组市场竞争愈趋激烈，加上英特尔（Intel）重返低阶NOR型闪存市场，不仅迫使一线大厂频频降价，导致获利空间遭严重挤压，部份二线IDM厂及IC设计业者更面临淘汰出局困境，甚至新进业者被迫紧急喊停、退出市场；DRAM大厂英飞凌（Infineon）9日便证实，决定暂缓投入NOR型闪存市场，以集中资源在NAND型闪存上。

近几个月来全球NOR型闪存市场寒风飕飕，成为厂商心中的最痛，而造成市场惨跌主要原因，除部份NOR型闪存制造商错估整体市场供需情况，更重要的是，全球重量级NOR型闪存制造商英特尔，日前决定重返低容量NOR型闪存市场，造成其它供货商纷祭出降价策略，与英特尔硬拼，以避免市占率被抢走，然却造成NOR型闪存市场价格出现几近崩盘状态。

英飞凌德国总部发言人9日证实，尽管拥有Twin 闪存技术，具备制造NOR型闪存能力，且已完成产品原型（Prototype）发展，不过，就现阶段全球NOR型闪存市场状况看来，现在投入市场并没有任何益处，因此，英飞凌确定暂不进入NOR型闪存市场，未来将转而更积极抢进NAND型闪存市场。

台DRAM业者表示，由于NOR型闪存市场惨不忍睹，让既有供货商纷停止扩充产能，甚至降低整体产出量，毕竟到目前为止，NOR型闪存相关IDM大厂或IC设计业者都伤痕累累，遂促使英飞凌对于投入NOR型闪存态度转趋保守。

DRAM业者指出，就整体闪存市场未来成长性来看，NAND型产品确实较NOR型产品更具成长空间，尤其是在手机市场部份，未来高容量闪存需求均将来自于NAND型闪存，因此，厂商与其花费心力在较不具成长空间的NOR型闪存，还不如将所有资源投入在NAND型闪存上，才能获得更大效益。

此外，DRAM业者亦认为，英飞凌暂缓投入NOR型闪存战局，将对于该市场有冷却竞局的加分效果。