Infineon与IBM合作研发新内存技术

延续双方长久来的技术合作关系，内存芯片制造商Infineon公司与IBM连手推动一项计划，将共同研发“相变”(Phase-Change)内存，也就是能藉调整本身结构储存数据的材质。

这两家公司加上台湾的旺宏公司(Macronix)将指派大约25名人员，专门投入研究制造这种记忆装置所需的材质与结构。研究工作将在IBM位于纽约州约克敦海兹和加州阿尔马登实验室进行。

“相变”内存大致而言，就是更改某种材质的基本结构，通常是靠快速加温方式，让该材质一下子呈现结晶状，一下子变成非结晶状。一旦用雷射光照射，反射方式也有所不同，端视被照射之处呈结晶状与否而定。不同的反射样式，可被计算机记录成1或0。

现在用的内存运作方式，是藉抓取储存格内的电子。相形之下，相位改变内存拥有一种优势，即数据的储存不倚赖电荷，因为电荷是会消失的。不过，相位改变内存就物理方面可能有磨损之虞。

全球各地的研究员纷纷寻觅新的材质与结构，期能让摩尔定律的车轮持续滚动。按摩尔定律，每两年晶体管与记忆容量就会大幅增加。业者希望以新方法取代制造硅芯片，在降低成本的同时，也能研发出执行速度更快、耗电量减少且更适合塞入更狭小空间的芯片。

以这类新材质制成的芯片，可望在未来20年期间陆续问世。但没人能保证任一种新方法能够迈进大量生产阶段。内存可能是这些新观念接受市场考验的第一道关卡。

但这并非易事。英特尔曾支持Ovonics Unified Memory多年，也是一种相位改变型内存。英特尔共同创办人曾表示，Ovonics在30年前就会风行，但至今这项预言尚未成真。英特尔已数度延后发布Ovonic芯片。另外，Philips也有一项相位改变研究计划正在进行中。

Infineon与IBM也将在“Spintronics”领域携手合作。这是一种记忆芯片，靠某材质内含之电子束的旋转来读取数据。如同Ovonics，spintronics将来能否有实质的成果，也是前途未卜。