“集成度2倍于DRAM” 不使用电容的内存蓄势待发

“我们的存储技术正好适用于对成本要求很严格的民用设备。正因为如此，我们才选择在拥有众多民用设备生产厂家的日本来首次发表这项技术。将来的大部分利润有望来自于日本”（美国Innovative Silicon公司总裁兼首席执行官Mark-Eric Jones）。Innovative Silicon公司于2005年1月24日在日本东京就逻辑LSI混载用挥发性存储器“Z-RAM”举行了发布会，与现有混载DRAM相比可以将密度提高2倍。

Z-RAM的“Z”就是“Zero capacitor”的意思，其最大特点就是不使用电容来保存数据。由SOI底板上形成的单个晶体管来组成存储单元。由于不需要电容，所以可在密度上超越DRAM。其工作原理利用了SOI底板所具有的悬浮效果与放大效果。读取、写入所用的访问时间不足3ns，耗电量也能比混载DRAM减少30%。作为SOI底板即能适用于部分空乏型也能适用于完全空乏型。将来通过采用3维结构的鳍型晶体管还可以进一步提高密度。

Freescale公司正在试制测试芯片

对于Z-RAM，已有9家硅生产工厂确认其存储单元符合规格要求。美国Freescale Semiconductor公司甚至还在试制Mbit级的测试芯片。据说将在1个月内加工完毕。采用90nm工艺制造，试制的存储单元面积为0.18μm2（约22F2，F为最小加工尺寸），而且将来还可以缩小到0.10μm2（约12F2）。

Z-RAM将从2005年开始授权提供。授权形式设想有以下3种：（1）IP内核单体授权；（2）Z-RAM全部技术授权；（3）内存编辑器授权。

在内存工作过程中利用SOI底板所具有的悬浮效果与放大效果

宣称与现在混载DRAM相比可以将密度提高2倍