英飞凌与南亚科合作发展70nm米沟槽式DRAM工艺

欧洲第二大半导体供货商英飞凌（Infineon）日前在IEEE所举办的2004年国际电子组件研讨会（IEDM）中表示，该公司与南亚科技合作发展70nm沟槽式（Trench）DRAM制程技术，该制程发展可望将芯片尺寸缩小约30％，增加DRAM产出产能，亦同时增加每一片晶圆的芯片产出量，降低单位生产成本。

此外，英飞凌这次70nm沟槽式DRAM制程的突破性发展，还包括整合了高介电系数材料（high-k dielectric material）Al2O3，虽然Al2O3的介电系数不及Ta2O5，仅有10，但却可耐高温，仍可支持使用沟槽式制程的DRAM厂商，继续加深沟槽深度的目标。

据指出，英飞凌目前大部分的DRAM生产仍采用0.11微米制程科技，预计2005年将导入90nm制程科技，届时芯片尺寸可望较0.11微米制程缩小，接下来再进入下一世代70nm沟槽式DRAM制程之后，其芯片尺寸还将进一步较90nm制程缩小，达到降低单位生产成本的目标。