瑞萨推出90纳米双端口SRAM，具有高密度和低功耗

    来自电子工程专辑的消息，瑞萨科技(Renesas Technology，日立与三菱电机的合资公司，主要生产非DRAM类的存储与嵌入式微处理器/控制器产品)日前宣布，该公司开发出全球单元尺寸最小的低功耗双端口SRAM，可用于下一代微处理器和系统级芯片(SoC)。

这款SRAM的设计和预生产采用了90纳米结点工艺，据称是当今全球最小尺寸的存储器，每比特占位为2.04 μm2，待机电流只有瑞萨当前技术的1/10，单位功率耗费大约减少了2/3。

瑞萨表示，大规模集成电路(LSI)制造工艺不断提高，LSI的性能和综合水平也同步增长，不过，门电流渗漏成为工艺改进过程的一个难点，这与增加工作电压有关，使用双端口技术可以有助于解决这方面的问题。