MoSys授权Fujitsu采用1T-SRAM-Q嵌入式内存技术

高密度SOC嵌入式内存解决方案厂商MoSys, Inc.和IT及通讯解决方案供货商Fujitsu Limited（富士通有限公司），分别发表有关Fujitsu使用MoSys先进的4倍密度1T-SRAM-Q技术在其0.13um逻辑制程上的授权协议。Fujitsu将会运用MoSys的1T-SRAM-Q技术来提供高密度嵌入式内存的解决方案在其消费性应用的系统单芯片设计上，包括数字相机、数字摄影机。

Fujitsu副总裁兼LSI部门执行副总裁Shigeru Fujii表示：「透过运用标准逻辑制造的制程，MoSys的1T-SRAM-Q内存技术适用于ASIC的开发以及处理器的单芯片系统和可重复配置逻辑上。经由与MoSys的伙伴关系，期望可在目前的0.13um逻辑制程上提供先进的嵌入式内存解决方案，并在即将发表的更先进制程上采用。」

MoSys副总裁兼IP总经理Mark-Eric Jones表示：「透过授权采用1T-SRAM-Q内存技术的方式，Fujitsu可以更充分发挥在内存技术上丰富的经验，进而提供更好的解决方案于其设计或ASIC客户的设计来使用。」

在0.13mm逻辑制程中祇使用到0.5umm的bit cells，1T-SRAM-Q即能达到非常地高密度。1T-SRAM-Q是采用一种低成本的方式来整合大量的嵌入式内存到系统单芯片的设计中，它祇要在标准逻辑制程中附加一层一般光罩，并且不须修改其它Logic IP及libraries。1T-SRAM-Q结合了MoSys自有的专利技术(Transparent Error Correction，TEC)技术的另一项优点就是可提高良率及可靠度进而消除laser repair和soft error的忧虑。