东芝MLC-NAND闪存写速每年增两倍

东芝今后将快速提高采用多值技术（MLC）的NAND快闪EEPROM的写入速度。其目的是适应保存高细腻动态图像等的要求。东芝常务执行董事、半导体分公司社长室町正志在2004年9月3日在东京举行的“2004东京国际数码会议”发表的演讲中公布了上述方针。

东芝采用130nm工艺制造、2003年前投入批量生产的多值2千兆级产品在写入数据时的传输速度为约1.5MB/秒。今后该公司将以每年两倍的速度提高写入速度。2004年开始批量生产、采用90nm工艺的4Gbit级产品的写入速度将提高到3MB /秒，2005年开始批量生产、采用70nm工艺的8Gbit级产品将提高到6MB/秒，2006年开始批量生产的16Gbit级产品将提高到12MB/秒。该公司将通过扩大写入缓存容量和改进电路及工艺技术提高写入速度。