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东芝将上市90nm工艺4Gbit容量NAND型闪存

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东芝将上市90nm工艺4Gbit容量NAND型闪存

作者:Zxm 2004年4月8日

关键字: 东芝

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来自日经BP社睥消息,东芝将上市采用90nm工艺和多值技术、容量为4Gbit的NAND型快闪EEPROM“TC58NVG2D4BFT00”。将从4月下旬开始发货工业样品,从第3季度开始以每月30万只的规模批量生产。工业样品的价格为1万2000日元(约合人民币900元)。该产品通过对扩充页面尺寸和存贮单元控制系统进行最优化,使写入速度提高到该公司以往多值产品的约8倍。

5月份开始发货层迭两层4Gbit产品从而使单个封装的容量增加到8Gbit的TSOP封装产品的工业样品,从第3季度开始将以每月30万只的规模进行批量生产。工业样品的价格为2万4000日元(约合人民币1800元)。该公司还计划第3季度开始发货层迭4层4Gbit产品而成的容量为16Gbit产品的工业样品。

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