科技行者

行者学院 转型私董会 科技行者专题报道 网红大战科技行者

知识库

知识库 安全导航

至顶网›存储频道 ›东芝计划在07年采用55纳米生产闪存

东芝计划在07年采用55纳米生产闪存

  • 扫一扫
    分享文章到微信

  • 扫一扫
    关注官方公众号
    至顶头条

东芝计划在07年采用55纳米生产闪存

作者：Zxm 2004年5月21日

关键字： 东芝

  • 评论
  • 分享微博
  • 分享邮件
日本东芝(Toshiba)日前表示，计划在2007年开始采用55纳米工艺生产NAND闪存。
 
 该公司表示，预期NAND闪存市场年增长30%，2007年销售额将从2003年的35亿美元左右增长至110亿美元。到2004年第三季度，东芝计划推出一款16Gb NAND闪存，在一个封装中容纳四个4Gb裸片。
 
 东芝表示，根据光刻技术发展的路线图，东芝的200毫米工厂将在2005财年上半年开始采用70纳米工艺批量生产，而300毫米新厂将在2006财年上半年开始采用这种新工艺。新厂计划在2007年的年初采用55纳米工艺批量生产NAND闪存。 
    • 评论
    • 分享微博
    • 分享邮件
    VIP专区
    邮件订阅

    如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息，那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。

    重磅专题
    往期文章
    最新文章

    业界热点:

    北京第二十六维信息技术有限公司（至顶网）版权所有. 京ICP备15039648号-7 京ICP证161336号 京公网安备 11010802021500号