闪存未来：忆阻器、光子与MLC强势来袭

非易失性存储介质闪存开发并不稳定，经销商大会的与会者们发现。分析公司Stifel Nicolaus总监Aaron Rakers公布了关于全新阵列技术的多项劲爆新闻。现在有不少厂商都已经开始推出混合型闪存/磁盘阵列，大家也纷纷强调数字内容存储量的持续走高。

两年之前存储业界的统计数字常常令人震惊，但现在我们已经对这一切习以为常：

每过一分钟

- YouTube 会迎来六百多个新上传的视频文件
- 超过一万三千小时的音乐数据通过Pandora进行传输
-往来电子邮件数量达到1.68亿封
- Facebook上将新增695000条状态更新
-谷歌搜索引擎也需要应对695000次搜索操作。

更多普通企业也已经或即将面临数字输入内容的大幅度增长，并需要迅速做出回应。

惠普

惠普的光子节点底板将于今年晚些时候同Apollo一同登场，旨在利用一套融合系统复合体通过传输光信号而非电子信号来提高计算、存储及网络节点间的数据传输速度。

虽然闪存方案提供的数据访问速度要明显快于磁盘驱动器，但数据传输的瓶颈如今已经向网络承载能力转移。根据惠普公司的描述，传输1TB数据的时耗在不同网络方案中分别为：

- 万兆以太网耗时12.7分钟
- 8Gbit/s光纤通道耗时15.9分钟
- 40Gbit以太网耗时3.4分钟

由此推断，16Gbit/s光纤通道的传输耗时应为8分钟以内，而32Gbit/s光纤通道则为不到4分钟。光子集成型光纤架构则有可能在1分钟甚至更短的时间内搞定1TB数据的传输工作。

惠普公司表示，他们有计划将高密度（指同等物理空间但容量更高）Memristor（即忆阻器）存储方案作为闪存的替代产品，并在今年年末正式推向商业化应用。这套方案在速度上比之前所公布的信息更快。

惠普公司让我们意识到，规模日益庞大的传入数据将被逐一反映在采用光子技术的整合基础设施系统当中，并利用忆阻器单元提供的处理能力加以存储。

HDS

日立数据系统公司认为他们能够将MLC（2-bit多层单元）闪存的成本控制在与高性能SAS磁盘驱动器相当的程度，当然这一切要到2015年末才会实现。该公司之所以如此信心满满，主要是因为其ASIC控制器专利技术。该技术能够显著提高MLC闪存的工作寿命。相比之下，EMC公司则断定MLC闪存到2016年在每GB成本方面将达到SAS磁盘的八倍以上。

根据HDS的说法，该公司将在数周或几个月之内推出3.2TB闪存模块，一举将现有1.6TB容量规格翻倍；他们还有计划在2014年向6.4TB闪存模块全面进军。这一态势非常积极，而且将给HDS带来远超过其它闪存供应商的巨大成本优势。

如果消息属实，HDS真的掌握了独一无二的MLC闪存控制器技术，而且确实在推出的全闪存阵列中加以使用，那么其它所有全闪存阵列供应商都必将面临严峻的竞争压力。

如果忆阻器技术被惠普应用到共享存储方案当中，那么我们可以肯定，惠普的忆阻器阵列与HDS的超级MLC闪存阵列必然展开一场激烈交锋。

戴尔

戴尔计划于今年晚些时候推出多服务器连贯式PCIe闪存缓存功能，这一利用Express Flash技术实现的功能将被应用于2.5英寸PCIe SSD当中（普遍认为SSD由镁光公司提供）。这项功能将被整合到戴尔的Active System Manager（简称ASM）设备策略当中，并可能意味着戴尔向Fusion-io供应闪存的时代正式结束。

ASM是一套整合基础设施管理平台，能够定义工作负载并统辖服务器、存储及网络功能。目前它也已经支持EqualLogic存储，并将在未来几个月中加入对Compellent的支持。ASM拥有开放API，戴尔公司希望这能够吸引第三方阵列产品的支持。

NetApp

NetApp公司在发言中暗示FlashRay产品将于今年下半年发布、而非原计划中的2014年下半年。他们还提醒称，FlashRay操作系统会包含EF540闪存阵列的Engenio SANtricity操作系统与ONTAP的融合性特征；也许ONTAP的ASIS重复数据删除技术也会在其中有所体现。

但根据Rakers的理解，这也可能是指FlashRay将拥有支持统一文件/数据块存储及扩展的能力。

最后一条来自Rakers的爆料是，Greenbytes VMware VDI插件（及其重复数据删除与压缩功能）能够将原始容量为340GB的SSD提升至40TB可用容量——当然这是在特定情况下。大家最好是在非生产服务器上测试这项新特性。

总结这次大会内容，我们可以看到专业型技术有望击败商业级技术——惠普的光子底板压制以太网、InfiniBand与光纤通道，其忆阻器非易失性内存则对抵闪存方案。

HDS的专有MLC闪存ASIC控制器也印证了这一结论。当然，在这三项技术真正进入量产之前，我们还不能轻易断言商业级技术之火即将熄灭。