HGST:单碟2TB已不是梦

西数旗下HGST的研发实验室今天宣布，通过将自组装分子(self-assembling molecules)、纳米压印(nanoimprinting)两种技术的融合，他们成功创造了大面积的高密度存储介质，其中磁岛(magnetic islands)的宽度只有区区10nm(一百亿分之一米)。

这种宽度只相当于大约50个分子并排，或者人类头发丝的十万分之一，而且HGST获得了大约10万个磁轨，已经能够满足生产硬盘的需要。

HGST表示，他们获得的10nm晶格密度是现在硬盘技术的两倍，实验室测试也展现了出色的读写速度和数据保存能力。扩展到整个硬盘之后，纳米压印技术有望得到超过一万亿个磁岛。

HGST宣称，这一成就将对纳米级制造产生深远的影响，可以大大降低晶格介质(bit-patterned media)的成本，从而在未来数年内大幅度提高机械硬盘的存储密度。

下图就是HGST通过纳米技术得到的高密度磁岛，其中每个白点都能存储一个比特(bit)的信息，而每平方英寸内有1.2万亿个白点，相当于几乎1120Gb，而现在单碟1TB硬盘的最高存储密度也才每平方英寸625Gb。如此一来，单碟2TB将不再是梦。