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英特尔打响“闪”击战 泄漏SSD路线图

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近日,英特尔SSD路线图被“不慎”泄露,其中展示了即将发布的六款25nm产品,以及到年底发布的两款34nmSLC高速芯片。

作者:存储时代(编译) 来源:Stor-age.com 2011年5月4日

关键字: 英特尔 SSD

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近日,英特尔SSD路线图被“不慎”泄露,其中展示了即将发布的六款25nm产品,以及到年底发布的两款34nmSLC高速芯片。

英特尔泄漏未来一年SSD路线图

英特尔SSD的尺寸正从34nm工艺过渡到25nm工艺。以前的X25和X18系列品牌被更名为300、500和700系列,而近期发布的产品包括替代X25-M的25nm 的320,以及34nm、2位多级单元(MLC)的510。

英特尔闪存路线图首先描述的是已经发布的320及三款相关产品。然后是代号为“Lyndonville”的710,这是另一款使用了“MLC-HET”闪存的MLC设备,它具有100、200和400GB的容量规格,外形规格为2.5英寸,还具有3Gb SATA接口。该产品有望最早在六月底之前推出,会取代现有的X25-E产品,这是英特尔最快的闪存,采用了SLC NAND。

而高端的X25-E产品市场计划在第三季度由代号为“Ramsdale”的720所替代,720是一款SLC产品,具有PCIe 6Gb接口(用以提防Fusion-io、OCZ和Virident),容量规格为200GB和400GB。

另外,英特尔还将在第三季度发布一款代号为“Larsen Creek”的3xx产品,该产品采用SLC闪存,外形规格为2.5英寸,容量规格为20GB,具有3Gb SATA和mSATA接口。英特尔的路线图将其标为“POR”状态,据推测,“POR”状态可能比“Ramsdale”设备的“计划”状态在产品化上更加先进。它被称为高速缓存产品。

而英特尔在第四季度将发布代号为“Cherryville”的520,这是一款25nm MLC产品,容量规格为64、120、240和480GB,预计将用于替代34nm的 510。与510类似,Cherryville也具有一个6Gb SATA接口。

另外,英特尔还计划发布一款代号为“Paint Creek” 3xx产品,目前状态为非“POR”,具有40 和 80GB的MLC闪存容量规格,还配有3Gb mSATA接口。

英特尔即将成为一家强大且垂直整合的闪存供应商,能以晶圆代工和成品级产品与OCZ、 Samsung/Seagate/Fusion-io、STEC、Toshiba/Violin和其他厂商相较量。英特尔提供的驱动产品,可能会让细分产品供应商收费额外费用的美好日子接近尾声(比如Fusion-io的PCI-e产品和STEC的FC产品)。

因此,细分闪存产品的供应商们需要注意了:硬盘行业发生的整合极有可能在NAND闪存行业重现。诸位厂商最好早有所备,因为你现在就可能已经成为人家未来的收购目标了。

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